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BSZ900N15NS3GATMA1  与  RH6R025BHTB1  区别

型号 BSZ900N15NS3GATMA1 RH6R025BHTB1
唯样编号 A-BSZ900N15NS3GATMA1 A33-RH6R025BHTB1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON Nch 150V 25A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 38W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 60mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds - 150V
Pd-功率耗散(Max) - 59W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 75V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN HSMT8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 20uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 25A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 90 毫欧 @ 10A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 13A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 8V,10V -
漏源电压(Vdss) 150V -
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥11.7002
50+ :  ¥6.7077
100+ :  ¥6.0849
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