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BSZ440N10NS3GATMA1  与  RH6P040BHTB1  区别

型号 BSZ440N10NS3GATMA1 RH6P040BHTB1
唯样编号 A-BSZ440N10NS3GATMA1 A33-RH6P040BHTB1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 29W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 15.6mΩ@40A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 59W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 640pF @ 50V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN HSMT8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 12uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.1nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 40A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 44 毫欧 @ 12A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 5.3A(Ta),18A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 30
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥11.0294
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
20: ¥11.0294
30 对比

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