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BSZ130N03LSGATMA1  与  RQ3E100MNTB1  区别

型号 BSZ130N03LSGATMA1 RQ3E100MNTB1
唯样编号 A-BSZ130N03LSGATMA1 A-RQ3E100MNTB1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),25W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8.8mΩ
上升时间 - 17ns
Qg-栅极电荷 - 9.9nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 970pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 2.5V
封装/外壳 8-PowerTDFN HSMT-8
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 10A
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 13 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 6ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
典型关闭延迟时间 - 31ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 10A(Ta),35A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
典型接通延迟时间 - 7ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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