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BSZ123N08NS3GATMA1  与  DMT8012LFG-7  区别

型号 BSZ123N08NS3GATMA1 DMT8012LFG-7
唯样编号 A-BSZ123N08NS3GATMA1 A-DMT8012LFG-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),66W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 80V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 40V -
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN PowerDI
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 33uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 9.5A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 12.3 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 10A(Ta),40A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
漏源电压(Vdss) 80V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ123N08NS3 G_8-PowerVDFN

暂无价格 0 当前型号
DMT8012LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI

暂无价格 0 对比

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