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BSZ100N06LS3GATMA1  与  RH6L040BGTB1  区别

型号 BSZ100N06LS3GATMA1 RH6L040BGTB1
唯样编号 A-BSZ100N06LS3GATMA1 A33-RH6L040BGTB1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),50W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.1mΩ@40A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 59W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 30V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN HSMT8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 23uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 65A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 11A(Ta),20A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 59
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥11.6331
50+ :  ¥6.5448
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59 对比

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