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BSZ099N06LS5ATMA1  与  DMTH6009LPSQ-13  区别

型号 BSZ099N06LS5ATMA1 DMTH6009LPSQ-13
唯样编号 A-BSZ099N06LS5ATMA1 A-DMTH6009LPSQ-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 36W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 2.8W(Ta),136W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 10mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 30V 1925 pF @ 30 V
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 33.5 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerTDFN PowerDI5060-8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 14uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.1nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id - 11.76A(Ta),89.5A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
FET功能 标准 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 9.9 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 46A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ099N06LS5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ099N06LS5_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
RS1L145GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

14.5A(Ta),47A(Tc) N-Channel 2.7V@200uA 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 60V

¥11.6427 

阶梯数 价格
20: ¥11.6427
50: ¥7.1102
100: ¥6.5448
500: ¥6.1615
1,000: ¥6.0849
1,198 对比
DMT68M8LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.4W(Ta),56.8W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 60V 14.1A(Ta),69.2A(Tc)

暂无价格 0 对比
DMTH6009LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.8W(Ta),136W(Tc) ±16V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 60V 11.76A(Ta),89.5A(Tc) 车规

暂无价格 0 对比
DMTH6009LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.8W(Ta),136W(Tc) ±16V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 60V 11.76A(Ta),89.5A(Tc) 车规

¥2.9061 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.9061
12,500: ¥2.6908
0 对比
DMNH6008SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3.3W(Ta) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 60V 16.5A(Ta),88A(Tc)

暂无价格 0 对比

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