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BSZ034N04LSATMA1  与  DMTH4004SPS-13  区别

型号 BSZ034N04LSATMA1 DMTH4004SPS-13
唯样编号 A-BSZ034N04LSATMA1 A-DMTH4004SPS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),52W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 3.6W(Ta),167W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.7mΩ@90A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 20V 4305 pF @ 25 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 68.6 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerTDFN PowerDI5060-8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id - 31A(Ta),100A(Tc)
驱动电压 - 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.4 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 19A(Ta),40A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 40V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ034N04LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ034N04LS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
DMTH4004SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3.6W(Ta),167W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 40V 31A(Ta),100A(Tc)

暂无价格 0 对比
RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55℃~150℃

暂无价格 100 对比
RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55℃~150℃

¥4.5827 

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