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BSS84PWH6327XTSA1  与  BSS84PW  区别

型号 BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PW
唯样编号 A-BSS84PWH6327XTSA1 A-BSS84PW
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 300mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8Ω@150mA,10V
产品特性 车规 车规
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 19.1pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 SC-70,SOT-323 PG-SOT323-3
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 150mA(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 8 欧姆 @ 150mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 20µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 19.1pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 300mW(Ta)
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 20uA -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
25°C时电流-连续漏极(Id) 150mA(Ta) -
漏源电压(Vdss) 60V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.5nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS84PWH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS84PW H6327_P 通道 SC-70,SOT-323 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
BSS84PW Infineon  数据手册 小信号MOSFET

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