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BSS806NH6327XTSA1  与  ZXMN2A14FTA  区别

型号 BSS806NH6327XTSA1 ZXMN2A14FTA
唯样编号 A-BSS806NH6327XTSA1 A-ZXMN2A14FTA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 ZXMN2A14 Series 20 V 0.06 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 60mΩ@3.4A,4.5V
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 1W(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 529pF @ 10V -
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
不同Id时Vgs(th)(最大值) 750mV @ 11uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.7nC @ 2.5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4.1A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 544pF @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 57 毫欧 @ 2.3A,2.5V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.6nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 2.3A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 1.8V,2.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
漏源电压(Vdss) 20V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS806NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS806N H6327_N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1W(Ta) 60mΩ@3.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.1A

¥1.639 

阶梯数 价格
40: ¥1.639
100: ¥1.309
750: ¥1.166
809 对比
ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1W(Ta) 60mΩ@3.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.1A

暂无价格 0 对比
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS806NE H6327_N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSD816SN H6327 Infineon 小信号MOSFET

BSD816SNH6327XTSA1_PG-SOT363-6 车规

暂无价格 0 对比
BSS806NE H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS806NEH6327XTSA1_20V 2.3A 41mΩ 8V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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