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BSS308PEH6327XTSA1  与  ZXMP3F30FHTA  区别

型号 BSS308PEH6327XTSA1 ZXMP3F30FHTA
唯样编号 A-BSS308PEH6327XTSA1 A36-ZXMP3F30FHTA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 950mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 80mΩ@2.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 500pF @ 15V 370 pF @ 15 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 7 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 11uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 2.8A(Ta)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 80 毫欧 @ 2A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 2A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 17
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS308PEH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS308PE H6327_P 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
AO3421E AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 P-Channel -30V 20V -3A 1.4W 95mΩ@10V

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
3,000: ¥0.442
17,972 对比
DMG2307L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A

¥0.5759 

阶梯数 价格
90: ¥0.5759
200: ¥0.3718
1,500: ¥0.3237
3,000: ¥0.286
3,000 对比
ZXMP3F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 2.8A(Ta)

暂无价格 17 对比
DMG2307L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A

暂无价格 0 对比
ZXMP3F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 2.8A(Ta)

暂无价格 0 对比

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