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BSS306NH6327XTSA1  与  IRLML6346TRPBF  区别

型号 BSS306NH6327XTSA1 IRLML6346TRPBF
唯样编号 A-BSS306NH6327XTSA1 A-IRLML6346TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 63mΩ@3.4A,4.5V
产品特性 车规 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 275pF @ 15V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
栅极电压Vgs - ±12V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.5nC @ 5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 3.4A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 57 毫欧 @ 2.3A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.3W(Ta)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 11uA -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 24V
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF @ 24V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC @ 4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 2.3A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS306NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS306N H6327_N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
FDN337N ON Semiconductor 通用MOSFET

±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.8822 

阶梯数 价格
60: ¥0.8822
200: ¥0.6094
1,500: ¥0.5533
24,488 对比
DMG3406L-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.6A(Ta)

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
100: ¥0.5044
500: ¥0.4589
2,500: ¥0.4251
5,000: ¥0.3965
10,000: ¥0.364
19,639 对比
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A

¥0.5499 

阶梯数 价格
100: ¥0.5499
200: ¥0.3549
1,500: ¥0.3081
3,000: ¥0.273
10,075 对比
ZXMN3A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.2A(Ta)

¥1.705 

阶梯数 价格
30: ¥1.705
100: ¥1.364
750: ¥1.221
1,500: ¥1.144
2,988 对比
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 63mΩ@3.4A,4.5V N-Channel 30V 3.4A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比

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