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BSS223PWH6327XTSA1  与  DMP2004WK-7  区别

型号 BSS223PWH6327XTSA1 DMP2004WK-7
唯样编号 A-BSS223PWH6327XTSA1 A36-DMP2004WK-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3 P-Channel 20 V 2 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-323
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 250mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 900mΩ@430mA,4.5V
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 250mW(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 56pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±8V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 SC-70,SOT-323 SOT-323
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1.5uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.62nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 0.4A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 175pF @ 16V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V -
Vgs(最大值) ±12V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 390mA(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
漏源电压(Vdss) 20V -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.6094
200+ :  ¥0.4641
1,500+ :  ¥0.4043
3,000+ :  ¥0.3575
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS223PWH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

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±8V 250mW(Ta) 900mΩ@430mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 P-Channel 20V 0.4A

¥0.6094 

阶梯数 价格
90: ¥0.6094
200: ¥0.4641
1,500: ¥0.4043
3,000: ¥0.3575
3,000 对比
DMP2004WK-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 250mW(Ta) 900mΩ@430mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 P-Channel 20V 0.4A

暂无价格 0 对比
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暂无价格 0 对比

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