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BSS209PWH6327XTSA1  与  AO7403  区别

型号 BSS209PWH6327XTSA1 AO7403
唯样编号 A-BSS209PWH6327XTSA1 A-AO7403
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 300mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 470 mΩ @ 700mA,4.5V
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 350mW(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 115pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±8V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 SC-70,SOT-323 SC-70-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 3.5uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.3nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 700mA(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 550 毫欧 @ 630mA,4.5V -
Vgs(最大值) ±12V -
栅极电荷Qg - 1.44nC @ 4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 630mA(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V -
漏源电压(Vdss) 20V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS209PWH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS209PW H6327_P 通道 SC-70,SOT-323 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
AO7403 AOS 功率MOSFET

700mA(Ta) P-Channel ±8V 470 mΩ @ 700mA,4.5V SC-70-3 350mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 20V

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