首页 > 商品目录 > > > > BSS205NH6327XTSA1代替型号比较

BSS205NH6327XTSA1  与  DMG3402L-7  区别

型号 BSS205NH6327XTSA1 DMG3402L-7
唯样编号 A-BSS205NH6327XTSA1 A36-DMG3402L-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.4W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 52mΩ@4A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 419pF @ 10V 464 pF @ 15 V
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 11.7 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 11uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.2nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 4A(Ta)
驱动电压 - 2.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 2.5A,4.5V -
Vgs(最大值) ±12V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 2.5A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V -
漏源电压(Vdss) 20V -
库存与单价
库存 0 20,194
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.6019
200+ :  ¥0.3887
1,500+ :  ¥0.338
3,000+ :  ¥0.3003
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS205NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS205N H6327_N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
DMG3402L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 4A(Ta)

¥0.6019 

阶梯数 价格
90: ¥0.6019
200: ¥0.3887
1,500: ¥0.338
3,000: ¥0.3003
20,194 对比
AO3414 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 3A 1.4W 50mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C

¥0.5863 

阶梯数 价格
90: ¥0.5863
200: ¥0.4485
1,500: ¥0.3887
3,000: ¥0.3458
14,748 对比
AO3414 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 3A 1.4W 50mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C

¥0.3846 

阶梯数 价格
1: ¥0.3846
100: ¥0.3061
1,000: ¥0.2206
1,500: ¥0.1899
3,000: ¥0.15
476 对比
AO3414 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 3A 1.4W 50mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
DMG3402L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 4A(Ta)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售