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BSS138WH6327XTSA1  与  DMN65D8LW-7  区别

型号 BSS138WH6327XTSA1 DMN65D8LW-7
唯样编号 A-BSS138WH6327XTSA1 A-DMN65D8LW-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 300mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3Ω@115mA,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V 22 pF @ 25 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 0.87 nC @ 10 V
封装/外壳 SC-70,SOT-323 SOT-323
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 26uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 300mA(Ta)
驱动电压 - 5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.5 欧姆 @ 200mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 280mA(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS138WH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS138W H6327_N 通道 SC-70,SOT-323 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
DMN65D8LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 300mW(Ta) ±20V SOT-323 -55℃~150℃(TJ) 60V 300mA(Ta)

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.2895
1,500: ¥0.1815
3,000: ¥0.1442
4,139 对比
DMN65D8LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 300mW(Ta) ±20V SOT-323 -55℃~150℃(TJ) 60V 300mA(Ta)

暂无价格 0 对比
BSS138WH6433XTMA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS138W H6433_N 通道 SC-70,SOT-323 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSS138W H6433 Infineon 小信号MOSFET

BSS138WH6433XTMA1_PG-SOT323-3 N-Channel 车规

暂无价格 0 对比

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