首页 > 商品目录 > > > > BSS138TA代替型号比较

BSS138TA  与  BSS138LT1G  区别

型号 BSS138TA BSS138LT1G
唯样编号 A-BSS138TA A-BSS138LT1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 50 V 3.5 Ohm Enhancement Mode FET-SOT-23 -use Diodes BSS138-7-F MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm 1.3 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5Ω@220mA,10V 3.5Ω@200mA,5V
正向跨导-最小值 - 0.1 S
上升时间 10ns -
漏源极电压Vds 50V 50V
Pd-功率耗散(Max) 350mW 225mW(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 15ns 20 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 200mA 0.2A
通道数量 1Channel 1 Channel
配置 Single Single
系列 BSS138 BSS
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V 50pF @ 25V
长度 2.9mm 2.9 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 5V
下降时间 25ns -
典型接通延迟时间 10ns -
高度 1mm 0.94 mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS138TA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 2.9mm

暂无价格 0 当前型号
BSS138LT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

2.9mm SOT-23

¥0.429 

阶梯数 价格
120: ¥0.429
200: ¥0.2756
3,000: ¥0.246
89,032 对比
BSS138NH6327XTSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS138N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
20,857 对比
BSS138N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS138NH6327XTSA2_2.9mm SOT-23

¥0.5499 

阶梯数 价格
100: ¥0.5499
200: ¥0.2925
1,500: ¥0.286
1,857 对比
BSS138 ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.2591 

阶梯数 价格
1: ¥0.2591
7 对比
BSS138LT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

2.9mm SOT-23

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售