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BSS131H6327XTSA1  与  DMN24H11DS-7  区别

型号 BSS131H6327XTSA1 DMN24H11DS-7
唯样编号 A-BSS131H6327XTSA1 A3-DMN24H11DS-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 360mW(Ta) -
功率 - 1.2W
Rds On(Max)@Id,Vgs - 11Ω
上升时间 - 4.7ns
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 - 3.7 nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 77pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 1V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.1nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C
连续漏极电流Id - 270mA
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 14 欧姆 @ 100mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 102.3ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 240V
典型关闭延迟时间 - 17.5ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 56uA -
通道数量 - 1 Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 110mA(Ta) -
漏源电压(Vdss) 240V -
典型接通延迟时间 - 4.8ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS131H6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS131 H6327_N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 270mA 11Ω 240V 1V -55°C ~ 150°C

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.0956
750: ¥0.9141
1,500: ¥0.8305
3,000: ¥0.7689
3,455 对比
DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 270mA 11Ω 240V 1V -55°C ~ 150°C

暂无价格 0 对比
DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 270mA 11Ω 240V 1V -55°C ~ 150°C

暂无价格 0 对比

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