首页 > 商品目录 > > > > BSS126H6906XTSA1代替型号比较

BSS126H6906XTSA1  与  AO3160  区别

型号 BSS126H6906XTSA1 AO3160
唯样编号 A-BSS126H6906XTSA1 A36-AO3160
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 0.7
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 500000mΩ@10V
ESD Diode - No
产品特性 车规 -
Rds On(Max)@4.5V - 600000mΩ
Qgd(nC) - 0.52
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 28pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 4
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT23A-3
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.1nC @ 5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 0.04A
Ciss(pF) - 10
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 500 欧姆 @ 16mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 0V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 105
Td(off)(ns) - 12.5
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 1.39W
Qrr(nC) - 9.5
VGS(th) - 3.2
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.6V @ 8uA -
FET功能 耗尽模式 -
25°C时电流-连续漏极(Id) 21mA(Ta) -
漏源电压(Vdss) 600V -
Coss(pF) - 1.8
Qg*(nC) - 1*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS126H6906XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS126 H6906_N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
AO3160 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23A-3 N-Channel 600V 20V 0.04A 1.39W 500000mΩ@10V

暂无价格 5 对比
BSS126H6327XTSA2 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS126 H6327_N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSS126 H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS126H6327XTSA2_21mA 500mW 500Ω@16mA,10V 600V ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比
AO3162 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 600V 30V 0.034A 1.39W 500000mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AO3160 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23A-3 N-Channel 600V 20V 0.04A 1.39W 500000mΩ@10V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售