BSS123 与 BSS123-7-F 区别
| 型号 | BSS123 | BSS123-7-F |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSS123-11 | A3-BSS123-7-F |
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | N-Channel 100 V 6 Ohm Logic Level Enhancement Mode FET - SOT-23-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 1.3mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 6Ω@170mA,10V |
| 上升时间 | - | 8ns |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 300mW |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 13ns |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 0.08S |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 170mA |
| 系列 | - | BSS123 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 60pF @ 25V |
| 长度 | - | 2.9mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | - | 8ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 8ns |
| 高度 | - | 1mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS123 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
BSS123-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
BSS123,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
TO-236AB N-Channel 0.25W 150°C 20V 100V 0.15A |
暂无价格 | 84 | 对比 |
|
BSS123-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 170mA 300mW 6Ω@170mA,10V 100V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSS123Q-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
BSS123-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 170mA 300mW 6Ω@170mA,10V 100V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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