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BSP62,115  与  BSP62H6327XTSA1  区别

型号 BSP62,115 BSP62H6327XTSA1
唯样编号 A-BSP62,115 A-BSP62H6327XTSA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 达林顿晶体管 小信号MOSFET
描述 TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223 TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 1250mW -
产品特性 车规 车规
功率-最大值 - 1.5W
电流-集电极(Ic)(最大值) - 1A
不同 Ic、Vce 时DC电流增益(hFE)(最小值) - 2000 @ 500mA,10V
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SOT223 TO-261-4,TO-261AA
电压-集射极击穿(最大值) - 80V
工作温度 - 150°C(TJ)
频率-跃迁 - 200MHz
尺寸 6.5 x 3.5 x 1.65 -
集电极连续电流 -1000A -
电流-集电极截止(最大值) - 10uA
直流电流增益hFE 1000 -
不同 Ib、Ic时 Vce饱和压降(最大值) - 1.8V @ 1mA,1A
晶体管类型 - PNP - 达林顿
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
260+ :  ¥1.2062
500+ :  ¥1.0222
1,000+ :  ¥0.9378
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSP62,115 Nexperia  数据手册 达林顿晶体管

BSP62_null

¥1.2062 

阶梯数 价格
260: ¥1.2062
500: ¥1.0222
1,000: ¥0.9378
0 当前型号
BSP62H6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

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