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BSP320SH6327XTSA1  与  ZXMN6A11GTA  区别

型号 BSP320SH6327XTSA1 ZXMN6A11GTA
唯样编号 A-BSP320SH6327XTSA1 A36-ZXMN6A11GTA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4 ZXMN6A11G Series 60 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 120mΩ@2.5A,10V
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2W(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA SOT-223
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 20uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4.4A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 330pF @ 40V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 120 毫欧 @ 2.9A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.7nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 2.9A(Tj) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 865
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.277
50+ :  ¥1.749
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSP320SH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP320S H6327_N 通道 TO-261-4,TO-261AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

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STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
1,000: ¥1.0307
2,000: ¥0.9372
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¥2.662 

阶梯数 价格
20: ¥2.662
50: ¥2.046
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¥2.277 

阶梯数 价格
30: ¥2.277
50: ¥1.749
865 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 0 对比

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