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BSP295H6327XTSA1  与  DMN6068SE-13  区别

型号 BSP295H6327XTSA1 DMN6068SE-13
唯样编号 A-BSP295H6327XTSA1 A3-DMN6068SE-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 2W(Ta)
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 60V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 368pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 SOT-223-4 SOT-223
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 400uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 5.6A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 502pF @ 30V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 300 毫欧 @ 1.8A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.3nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.8A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 60V -
导通电阻Rds(On) - 68mΩ@12A,10V
库存与单价
库存 0 4,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSP295H6327XTSA1 Infineon  数据手册 通用MOSFET

N 通道 -55°C~150°C(TJ) 车规 SOT-223-4

暂无价格 0 当前型号
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A

暂无价格 4,000 对比
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A

¥1.668 

阶梯数 价格
30: ¥1.668
100: ¥1.284
1,000: ¥1.0668
1,429 对比
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A

暂无价格 0 对比

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