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BSP170PH6327XTSA1  与  DMP6250SE-13  区别

型号 BSP170PH6327XTSA1 DMP6250SE-13
唯样编号 A-BSP170PH6327XTSA1 A-DMP6250SE-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 250mΩ@1A,10V
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 1.8W(Ta),14W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 410pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA SOT-223
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.1A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 551pF @ 30V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 300 毫欧 @ 1.9A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.7nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.9A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSP170PH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP170P H6327_P 通道 TO-261-4,TO-261AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
DMP6250SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.8W(Ta),14W(Tc) 250mΩ@1A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.1A

¥2.893 

阶梯数 价格
20: ¥2.893
100: ¥2.222
1,250: ¥1.936
2,500: ¥1.848
7,635 对比
NDT2955 ON Semiconductor 功率MOSFET

±20V 3W(Ta) 300m Ohms@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.5A 2.5A(Ta) 300 毫欧 @ 2.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA

¥2.024 

阶梯数 价格
30: ¥2.024
100: ¥1.628
150 对比
NDT2955 ON Semiconductor 功率MOSFET

±20V 3W(Ta) 300m Ohms@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.5A 2.5A(Ta) 300 毫欧 @ 2.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA

暂无价格 0 对比
NDT2955 ON Semiconductor 功率MOSFET

±20V 3W(Ta) 300m Ohms@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.5A 2.5A(Ta) 300 毫欧 @ 2.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA

暂无价格 0 对比
DMP6250SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.8W(Ta),14W(Tc) 250mΩ@1A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.1A

暂无价格 0 对比

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