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BSP126,115  与  STN1NK60Z  区别

型号 BSP126,115 STN1NK60Z
唯样编号 A-BSP126,115 A3-STN1NK60Z
制造商 Nexperia STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 N-Channel 600 V 15 O 4.9 nC Surface Mount SuperMESH Power MosFet- SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1.5W -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 15Ω@400mA,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 3.3W(Tc)
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT223 SOT-223
连续漏极电流Id 0.375A 0.3A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - SuperMESH™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 94pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.9nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 7500mΩ@2.5V,5000mΩ@10V -
库存与单价
库存 0 4,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSP126,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT223 N-Channel 0.375A

暂无价格 0 当前型号
STN1HNK60 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.3W(Tc) 8.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.4A

暂无价格 244,000 对比
STN1HNK60 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.3W(Tc) 8.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.4A

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.144
1,000: ¥1.0208
2,000: ¥0.9636
4,000: ¥0.9141
12,358 对比
STN1NK60Z STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.3W(Tc) 15Ω@400mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.3A

暂无价格 4,000 对比
ZVN2120GTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55°C~150°C(TJ) 200V 320mA(Ta)

¥2.662 

阶梯数 价格
20: ¥2.662
50: ¥2.046
1,000: ¥1.892
2,014 对比
ZVNL120GTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55°C~150°C(TJ) 200V 320mA(Ta)

¥3.003 

阶梯数 价格
20: ¥3.003
50: ¥2.31
830 对比

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