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BSP126,115  与  STN1HNK60  区别

型号 BSP126,115 STN1HNK60
唯样编号 A-BSP126,115 A3-STN1HNK60
制造商 Nexperia STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 N-Channel 600 V 10 nC Surface Mount SuperMESH Power MosFet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 3.3W(Tc)
功率耗散(最大值) 1.5W -
漏源极电压Vds - 600V
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT223 SOT-223
连续漏极电流Id 0.375A 0.4A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - SuperMESH™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 156pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
导通电阻Rds(On) 7500mΩ@2.5V,5000mΩ@10V 8.5Ω@500mA,10V
库存与单价
库存 0 244,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税)
1,000+ :  ¥3.1269
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSP126,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT223 N-Channel 7500mΩ@2.5V,5000mΩ@10V 0.375A

¥3.1269 

阶梯数 价格
1,000: ¥3.1269
0 当前型号
STN1HNK60 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.3W(Tc) 8.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.4A

暂无价格 244,000 对比
STN1HNK60 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.3W(Tc) 8.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.4A

¥1.644 

阶梯数 价格
40: ¥1.644
100: ¥1.26
1,000: ¥1.0476
2,000: ¥0.9528
4,000: ¥0.8844
36,965 对比
STN1NK60Z STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.3W(Tc) 15Ω@400mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.3A

¥2.004 

阶梯数 价格
30: ¥2.004
100: ¥1.608
1,000: ¥1.44
2,000: ¥1.356
4,000: ¥1.284
4,319 对比
ZVN4424GTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-223

暂无价格 2,000 对比
ZVN2120GTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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