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BSO201SPHXUMA1  与  DMP2066LSS-13  区别

型号 BSO201SPHXUMA1 DMP2066LSS-13
唯样编号 A-BSO201SPHXUMA1 A3-DMP2066LSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1.6W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 40mΩ@5.8A,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 9600pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) SOP
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 88nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 6.5A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 820pF @ 15V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 8 毫欧 @ 14.9A,4.5V -
Vgs(最大值) ±12V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 12A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
漏源电压(Vdss) 20V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSO201SPHXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO201SP H_P 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
DMP2066LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) 40mΩ@5.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 20V 6.5A

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
100: ¥0.869
1,250: ¥0.737
2,004 对比
DMP2066LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) 40mΩ@5.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 20V 6.5A

暂无价格 0 对比
DMP2066LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) 40mΩ@5.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 20V 6.5A

暂无价格 0 对比

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