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BSO110N03MSGXUMA1  与  IRF8707TRPBF  区别

型号 BSO110N03MSGXUMA1 IRF8707TRPBF
唯样编号 A-BSO110N03MSGXUMA1 A36-IRF8707TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1.56W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 11.9mΩ@11A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 8-SO
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 11 毫欧 @ 12.1A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 760pF @ 15V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 760pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.3nC @ 4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 10A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 20,234
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.54
100+ :  ¥1.188
1,000+ :  ¥0.9889
2,000+ :  ¥0.8987
4,000+ :  ¥0.825
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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暂无价格 0 当前型号
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8-SO

¥1.54 

阶梯数 价格
40: ¥1.54
100: ¥1.188
1,000: ¥0.9889
2,000: ¥0.8987
4,000: ¥0.825
20,234 对比
NTMS4816NR2G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥1.3637 

阶梯数 价格
1: ¥1.3637
2: ¥1.3093
4: ¥1.2568
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FDS6680A ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOIC 8-SOIC

¥0.6178 

阶梯数 价格
1: ¥0.6178
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8-SO

¥5.0473 

阶梯数 价格
1: ¥5.0473
25: ¥4.6734
40 对比
IRF8707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥1.0798 

阶梯数 价格
1: ¥1.0798
25: ¥0.931
33 对比

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