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BSO110N03MSGXUMA1  与  FDS6690A  区别

型号 BSO110N03MSGXUMA1 FDS6690A
唯样编号 A-BSO110N03MSGXUMA1 A36-FDS6690A
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO N-Channel 30 V 12.5 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1.56W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12.5m Ohms@11A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 8-SOIC
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11A
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1205pF @ 15V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 11 毫欧 @ 12.1A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16nC @ 5V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 10A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.256
100+ :  ¥2.508
1,250+ :  ¥2.178
2,500+ :  ¥2.079
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSO110N03MSGXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO110N03MS G_N 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
FDS6690A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

11A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 12.5m Ohms@11A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 11A 8-SOIC

¥3.256 

阶梯数 价格
20: ¥3.256
100: ¥2.508
1,250: ¥2.178
2,500: ¥2.079
2,500 对比
IRF8707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11.9mΩ@11A,10V N-Channel 30V 11A 8-SO

暂无价格 0 对比
SI4420DYTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 9mΩ@12.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8

暂无价格 0 对比
IRF8707PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRF7413TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11mΩ@7.3A,10V N-Channel 30V 13A 8-SO

暂无价格 0 对比

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