BSH203,215 与 FDV304P 区别
| 型号 | BSH203,215 | FDV304P |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSH203,215 | A3t-FDV304P |
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | P-Channel 25 V 1.5 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 350mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V |
| 漏源极电压Vds | -30V | 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.417W | 350mW(Ta) |
| 输出电容 | 27pF | - |
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±8V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | -0.47A | 460mA(Ta) |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA |
| 输入电容 | 110pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 63pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 1.5nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.7V,4.5V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 900mΩ@280mA,4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 63pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 1.5nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSH203,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 0.417W -55°C~150°C ±8V -30V -0.47A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRLML5103TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 600mΩ@600mA,10V P-Channel 30V 0.76A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
FDV304P | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 1.1 Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 25V 0.46A 460mA(Ta) 1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
|
SI2303CDS-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.7A(Tc) P-Channel 190 mOhms @ 1.9A,10V 2.3W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
