BSH108,215 与 FDN357N 区别
| 型号 | BSH108,215 | FDN357N | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-BSH108,215 | A36-FDN357N | ||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | BSH Series 30 V 120 mO 0.83 W N-Channel Enhancement Mode Transistor - SOT-23-3 | N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 0.83W | 500mW(Ta) | ||||||||||
| 功率 | - | 500mW(Ta) | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| 输出电容 | 70pF | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 1.5V,20V | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT23 | SuperSOT | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.9A | 1.9A | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||||||
| 输入电容 | 190pF | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 10V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.9nC @ 5V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 140mΩ@5V,120mΩ@10V | 60 毫欧 @ 2.2A,10V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 10V | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.9nC @ 5V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 7,653 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BSH108,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 140mΩ@5V,120mΩ@10V 0.83W 150°C 1.5V,20V 30V 1.9A |
￥1.2193
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0 | 当前型号 | ||||||||||
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2N7002LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
7.5Ω@0.5A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.115A 60V 0.3W N-Channel |
￥0.21
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275,130 | 对比 | ||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.272
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7,653 | 对比 | |||||||||||
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ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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DMN3300U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 700mW(Ta) 150mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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2N7002LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
7.5Ω@0.5A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.115A 60V 0.3W N-Channel |
暂无价格 | 1,831 | 对比 |
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