BSH108,215 与 2N7002LT1G 区别
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规格信息
型号	BSH108,215	2N7002LT1G
唯样编号	A-BSH108,215	A-2N7002LT1G
制造商	Nexperia	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	小信号MOSFET	功率MOSFET
描述	BSH Series 30 V 120 mO 0.83 W N-Channel Enhancement Mode Transistor - SOT-23-3
数据表	BSH108.pdf	2N7002LT1G.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
封装/外壳	SOT23	SOT-23
工作温度	150°C	-55°C~150°C
连续漏极电流Id	1.9A	0.115A
Rds On(Max)@Id,Vgs	-	7.5Ω@0.5A,10V
漏源极电压Vds	30V	60V
输入电容	190pF	-
Pd-功率耗散(Max)	0.83W	0.3W
Rds On(max)@Id,Vgs	140mΩ@5V,120mΩ@10V	-
输出电容	70pF	-
栅极电压Vgs	1.5V,20V	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
库存与单价
库存	0	117,000
工厂交货期	56 - 70天	3 - 5天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
BSH108,215	Nexperia	数据手册	小信号MOSFET	SOT23 N-Channel 0.83W 150°C 1.5V,20V 30V 1.9A	暂无价格	0	当前型号
2N7002LT1G	ON Semiconductor	数据手册	功率MOSFET	7.5Ω@0.5A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.115A 60V 0.3W N-Channel	暂无价格	117,000	对比
IRLML9303TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 165mΩ@2.3A,10V P-Channel 30V 2.3A Micro3™/SOT-23	暂无价格	0	对比
DMN3300U-7	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	±12V 700mW(Ta) 150mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A	暂无价格	0	对比
DMN3300U-7	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	±12V 700mW(Ta) 150mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A	暂无价格	0	对比
2N7002LT1G	ON Semiconductor	数据手册	功率MOSFET	7.5Ω@0.5A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.115A 60V 0.3W N-Channel	暂无价格	0	对比