BSD235NH6327XTSA1 与 PMGD290XN,115 区别
| 型号 | BSD235NH6327XTSA1 | PMGD290XN,115 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSD235NH6327XTSA1 | A3n-PMGD290XN,115 | ||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 | MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 410mW | ||||
| 功率-最大值 | 500mW | - | ||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 63pF @ 10V | - | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±12V | ||||
| FET类型 | 2 N-通道(双) | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | PG-SOT363-6 | SOT363 | ||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 1.6uA | - | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.32nC @ 4.5V | - | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 0.86A | ||||
| FET功能 | 逻辑电平门 | - | ||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 350 毫欧 @ 950mA,4.5V | - | ||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 950mA | - | ||||
| 漏源电压(Vdss) | 20V | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 350mΩ@200mA,4.5V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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BSD235NH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
2 N-通道(双) -55°C~150°C(TJ) 车规 PG-SOT363-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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PMGD290XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 350mΩ@200mA,4.5V 410mW 0.86A ±12V 20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 19 | 对比 | ||||||
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PMGD280UN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 340mΩ@4.5V,430mΩ@2.5V 0.4W 150°C 0.7V,8V 20V |
暂无价格 | 3 | 对比 | ||||||
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PMGD290XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 350mΩ@200mA,4.5V 410mW 0.86A ±12V 20V -55°C~150°C |
￥0.8799
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0 | 对比 | ||||||
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PMGD290XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 350mΩ@200mA,4.5V 410mW 0.86A ±12V 20V -55°C~150°C |
￥0.6518
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0 | 对比 | ||||||
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PMGD280UN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 340mΩ@4.5V,430mΩ@2.5V 0.4W 150°C 0.7V,8V 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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