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BSD235CH6327XTSA1  与  DMG1016UDW-7  区别

型号 BSD235CH6327XTSA1 DMG1016UDW-7
唯样编号 A-BSD235CH6327XTSA1 A-DMG1016UDW-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Dual N & P-Channel 20 V 450 mOhm Enhancement Mode Mosfet
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 450mΩ@600mA,4.5V
上升时间 - 7.4ns,8.1ns
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 - 736.6nC,622.4pC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 47pF @ 10V -
栅极电压Vgs - ±6V
封装/外壳 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 SOT-363
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.34nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 1.066A,845mA
配置 - Dual
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 350 毫欧 @ 950mA,4.5V -
下降时间 - 12.3ns,20.72ns
功率-最大值 500mW -
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 330mW
典型关闭延迟时间 - 26.7ns,28.4ns
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1.6uA -
系列 - DMG1016
通道数量 - 2Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 60.67pF @ 10V
FET功能 逻辑电平门 -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.74nC @ 4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 950mA,530mA -
漏源电压(Vdss) 20V -
典型接通延迟时间 - 5.1ns,5.1ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSD235CH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSD235C H6327_N+P-Channel 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel

¥0.6149 

阶梯数 价格
90: ¥0.6149
200: ¥0.3965
1,500: ¥0.3458
3,000: ¥0.3055
23,950 对比
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暂无价格 0 对比
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暂无价格 0 对比

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