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BSC900N20NS3GATMA1  与  BSZ900N20NS3GATMA1  区别

型号 BSC900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1
唯样编号 A-BSC900N20NS3GATMA1 A-BSZ900N20NS3GATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8 MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 62.5W(Tc) 62.5W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 920pF @ 100V 920pF @ 100V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 30uA 4V @ 30uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.6nC @ 10V 11.6nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 90 毫欧 @ 7.6A,10V 90 毫欧 @ 7.6A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 15.2A(Tc) 15.2A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 200V 200V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC900N20NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC900N20NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ900N20NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

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BSZ900N20NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ900N20NS3GATMA1_200V 15.2A 90mΩ@7.6A,10V ±20V 62.5W N-Channel -55°C~150°C PG-TSDSON-8

暂无价格 0 对比

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