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BSC520N15NS3GATMA1  与  IRFH5215TRPBF  区别

型号 BSC520N15NS3GATMA1 IRFH5215TRPBF
唯样编号 A-BSC520N15NS3GATMA1 A-IRFH5215TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5 150V, 27A, 0.058 ohms, PQFN 5X6 HEXFET Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 57W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 58mΩ@16A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 75V -
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 8-PowerTDFN PQFN(5x6)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 5A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 52 毫欧 @ 18A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 8V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1350pF @ 50V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 150V
Pd-功率耗散(Max) - 3.6W(Ta),104W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 35uA -
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1350pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 21A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 150V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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