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BSC340N08NS3GATMA1  与  IPG20N06S4L11ATMA1  区别

型号 BSC340N08NS3GATMA1 IPG20N06S4L11ATMA1
唯样编号 A-BSC340N08NS3GATMA1 A-IPG20N06S4L11ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5 MOSFET 2N-CH 8TDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),32W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
功率-最大值 - 65W
产品特性 - 车规
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 756pF @ 40V 4020pF @ 25V
FET类型 N 通道 2 N-通道(双)
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 12uA 2.2V @ 28uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.1nC @ 10V 53nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
FET功能 - 逻辑电平门
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 34 毫欧 @ 12A,10V 11.2 毫欧 @ 17A,10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 7A(Ta),23A(Tc) 20A
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
漏源电压(Vdss) 80V 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC340N08NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC340N08NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPG20N06S4L11ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPG20N06S4L-11_2 N-通道(双) 8-PowerVDFN -55°C ~ 175°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
IPG20N06S4L-11 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPG20N06S4L11ATMA1_60V 20A 11.2mΩ 16V 65W 2N-Channel 车规

暂无价格 0 对比

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