BSC160N15NS5 与 SIR622DP-T1-GE3 区别
| 型号 | BSC160N15NS5 | SIR622DP-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSC160N15NS5 | A36-SIR622DP-T1-GE3 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Ciss | 1370.0pF | - | ||
| Rth | 1.3K/W | - | ||
| Coss | 341.0pF | - | ||
| RthJA max | 50.0K/W | - | ||
| 栅极电压Vgs | 3V,4.6V | ±20V | ||
| 封装/外壳 | SuperSO8 | PowerPAK®SO-8 | ||
| 连续漏极电流Id | 56A | 51.6A(Tc) | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| Ptot max | 96.0W | - | ||
| QG | 19.0nC | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 7.5V,10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 16mΩ | 17.7mΩ@20A,10V | ||
| Budgetary Price €/1k | 0.73 | - | ||
| 功率耗散Pd | - | 104W(Tc) | ||
| Moisture Level | 1 Ohms | - | ||
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| Qgd | 4.0nC | - | ||
| Pin Count | 8.0Pins | - | ||
| Mounting | SMD | - | ||
| 系列 | - | ThunderFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1516pF @ 75V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 31nC @ 7.5V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 42 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSC160N15NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ 150V 56A SuperSO8 N-Channel 3V,4.6V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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SIR622DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
51.6A(Tc) ±20V 104W(Tc) 17.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®SO-8 N-Channel 150V |
￥11.1
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42 | 对比 | ||||
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SIR622DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
51.6A(Tc) ±20V 104W(Tc) 17.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®SO-8 N-Channel 150V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SIR622DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
51.6A(Tc) ±20V 104W(Tc) 17.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®SO-8 N-Channel 150V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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