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BSC123N10LSGATMA1  与  BSC159N10LSFGATMA1  区别

型号 BSC123N10LSGATMA1 BSC159N10LSFGATMA1
唯样编号 A-BSC123N10LSGATMA1 A-BSC159N10LSFGATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
数据表
RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 114W(Tc) 114W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 50V 2500pF @ 50V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 72uA 2.4V @ 72uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V 35nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 12.3 毫欧 @ 50A,10V 15.9 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 10.6A(Ta),71A(Tc) 9.4A(Ta),63A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 100V 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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