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BSC098N10NS5ATMA1  与  DMT10H009LPS-13  区别

型号 BSC098N10NS5ATMA1 DMT10H009LPS-13
唯样编号 A-BSC098N10NS5ATMA1 A-DMT10H009LPS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 60A TDSON MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 1.3W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 8mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2100pF @ 50V 2309 pF @ 50 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 40.2 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerTDFN PowerDI5060-8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 36uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 28nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 10A(Ta),90A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 9.8 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 60A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC098N10NS5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC098N10NS5_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta),139W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 100V 9.4A(Ta),98A(Tc)

¥5.951 

阶梯数 价格
9: ¥5.951
100: ¥4.972
1,250: ¥4.51
2,500: ¥4.18
5,000 对比
DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta),139W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 100V 9.4A(Ta),98A(Tc)

暂无价格 0 对比
DMTH10H010SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.5W(Ta),166W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 100V 11.8A(Ta),100A(Tc) 车规

暂无价格 0 对比
DMT10H009LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.3W(Ta) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 100V 10A(Ta),90A(Tc)

暂无价格 0 对比

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