BSC0906NS 与 SI7658ADP-T1-GE3 区别
| 型号 | BSC0906NS | SI7658ADP-T1-GE3 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-BSC0906NS | A36-SI7658ADP-T1-GE3 | ||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Single N-Channel 30 V 0.0022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 宽度 | 5.15mm | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.5mΩ | 2.2 mOhms @ 20A,10V | ||||||||||
| 上升时间 | 6.8nS | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 30W | 5.4W(Ta),83W(Tc) | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 13nC | - | ||||||||||
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 250uA | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 10V | - | ||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 40S | - | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 12nS | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | - | PowerPAK® SO-8 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 63A | 60A(Tc) | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||
| 配置 | SingleQuadDrainTripleSource | - | ||||||||||
| 长度 | 5.9mm | - | ||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||
| 下降时间 | 6.4ns | - | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 8.4ns | - | ||||||||||
| 高度 | 1.27mm | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 18,568 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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BSC0906NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 63A 4.5mΩ 10V 30W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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SI7658ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
60A(Tc) N-Channel 2.2 mOhms @ 20A,10V 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 30V |
￥2.6648
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18,568 | 对比 | ||||||||||||
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SI7658ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
60A(Tc) N-Channel 2.2 mOhms @ 20A,10V 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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