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BSC084P03NS3GATMA1  与  BSC084P03NS3EGATMA1  区别

型号 BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3EGATMA1
唯样编号 A-BSC084P03NS3GATMA1 A-BSC084P03NS3EGATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4785pF @ 15V 4240pF @ 15V
FET类型 P 通道 P 通道
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.1V @ 105uA 3V @ 110uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 58nC @ 10V 57.7nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 8.4 毫欧 @ 50A,10V 8.4 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) ±25V ±25V
25°C时电流-连续漏极(Id) 14.9A(Ta),78.6A(Tc) 14.9A(Ta),78.6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V 6V,10V
漏源电压(Vdss) 30V 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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