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BSC082N10LSGATMA1  与  AON6294  区别

型号 BSC082N10LSGATMA1 AON6294
唯样编号 A-BSC082N10LSGATMA1 A-AON6294
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 10
功率耗散(最大值) 156W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 14mΩ
Qgd(nC) - 4
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 7400pF @ 50V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 10.5
封装/外壳 8-PowerTDFN DFN 5x6
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 104nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 52A
Ciss(pF) - 2265
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 8.2 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 35
Td(off)(ns) - 20
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 57W
Qrr(nC) - 195
VGS(th) - 3.5
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 110uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 13.8A(Ta),100A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
Coss(pF) - 195
Qg*(nC) - 28*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC082N10LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC082N10LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
RS1P600BETB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP-8 100V 60A 9.7mΩ 20V 35W -55°C~150°C

¥14.5653 

阶梯数 价格
20: ¥14.5653
50: ¥10.0328
80 对比
AON6294 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 100V 20V 52A 57W 10mΩ@10V

暂无价格 0 对比
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