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BSC080N03LSGATMA1  与  AON6428  区别

型号 BSC080N03LSGATMA1 AON6428
唯样编号 A-BSC080N03LSGATMA1 A36-AON6428
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 14A/53A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),35W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 30W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN DFN 5x6
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 43A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 8 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 14A(Ta),53A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC080N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC080N03LS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
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DFN5x6

¥2.0522 

阶梯数 价格
480: ¥2.0522
1,000: ¥1.6148
1,500: ¥1.2629
3,000: ¥0.985
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