首页 > 商品目录 > > > > BSC070N10NS5SCATMA1代替型号比较

BSC070N10NS5SCATMA1  与  RS6P100BHTB1  区别

型号 BSC070N10NS5SCATMA1 RS6P100BHTB1
唯样编号 A-BSC070N10NS5SCATMA1 A3-RS6P100BHTB1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 3W(Ta),100W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.9mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 104W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 50V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerWDFN HSOP8 (Single)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 50uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id - 100A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 7 毫欧 @ 40A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 14A(Ta),82A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 50
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC070N10NS5SCATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-PowerWDFN -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃

¥19.6519 

阶梯数 价格
1: ¥19.6519
100: ¥9.8259
97 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃

暂无价格 50 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售