BSC060P03NS3EG 与 SI7135DP-T1-GE3 区别
| 型号 | BSC060P03NS3EG | SI7135DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSC060P03NS3EG | A3t-SI7135DP-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-Ch -30V -100A TDSON-8 OptiMOS P3 | Single P-Channel 30 V 0.0039 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 5mΩ |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 6.25W(Ta),104W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | TDSON-8 | PowerPAK® SO-8 Single |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 60A |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 8650pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 250nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC060P03NS3EG | Infineon | 功率MOSFET |
TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
|
SI7135DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) PowerPAK® SO-8 Single P-Channel 30V 60A 5mΩ |
暂无价格 | 50 | 对比 |
|
|
SI7135DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) PowerPAK® SO-8 Single P-Channel 30V 60A 5mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
