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BSC060N10NS3GATMA1  与  AON6292  区别

型号 BSC060N10NS3GATMA1 AON6292
唯样编号 A-BSC060N10NS3GATMA1 A36-AON6292
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 156W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 50V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN DFN 5x6
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 90uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 85A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 14.9A(Ta),90A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC060N10NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC060N10NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STL100N10F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
STL100N10F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
AON6292 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 100V ±20V 85A 156W 6mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥26.1781 

阶梯数 价格
490: ¥26.1781
1,000: ¥20.5991
1,500: ¥16.1096
3,000: ¥12.5655
0 对比
AON6292 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 100V ±20V 85A 156W 6mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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