BSC050NE2LS 与 SIR438DP-T1-GE3 区别
| 型号 | BSC050NE2LS | SIR438DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSC050NE2LS | A3t-SIR438DP-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 25 V 1.8 mOhm 105 nC 83 W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.15mm | - |
| 上升时间 | 2.2ns | - |
| Qg-栅极电荷 | 10.4nC | - |
| Vgs(th) | - | 2.3V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | 20V | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 38S | - |
| 封装/外壳 | PG-TDSON-8 | PowerPAK® SO-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 58A | 60A(Tc) |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 5.9mm | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 下降时间 | 2ns | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 760pF @ 12V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 导通电阻Rds(On) | 5mΩ | 1.8 mOhms @ 20A,10V |
| 高度 | 1.27mm | - |
| 功率耗散Pd | 28W | 5.4W(Ta),83W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | 25V | 25V |
| 典型关闭延迟时间 | 11.4ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 典型接通延迟时间 | 2.5ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10.4nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC050NE2LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 25V 58A 5mΩ 20V 28W N-Channel PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIR438DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
60A(Tc) N-Channel 1.8 mOhms @ 20A,10V 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 25V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
