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BSC050N04LSGATMA1  与  AON6442  区别

型号 BSC050N04LSGATMA1 AON6442
唯样编号 A-BSC050N04LSGATMA1 A-AON6442
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 43
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),57W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.8mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 7mΩ
Qgd(nC) - 6
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3700pF @ 20V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 7.2
封装/外壳 8-PowerTDFN DFN 5x6
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 47nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 32A
Ciss(pF) - 1830
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 16.5
Td(off)(ns) - 23
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 35.7W
Qrr(nC) - 40
VGS(th) - 2.4
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 27uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 18A(Ta),85A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
Coss(pF) - 521
Qg*(nC) - 12.8
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC050N04LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC050N04LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

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AON6442 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 40V 20V 32A 35.7W 4.8mΩ@10V

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DMNH4005SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.8W 20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 40V 80A(Tc) 车规

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