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BSC050N03LSGATMA1  与  AON6516  区别

型号 BSC050N03LSGATMA1 AON6516
唯样编号 A-BSC050N03LSGATMA1 A36-AON6516
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 83
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 8mΩ
Qgd(nC) - 5.5
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 7
封装/外壳 8-PowerTDFN DFN 5x6
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 56A
Ciss(pF) - 1229
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 12.6
Td(off)(ns) - 24
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 25W
Qrr(nC) - 15.2
VGS(th) - 2.2
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 18A(Ta),80A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
Coss(pF) - 526
Qg*(nC) - 12
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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