首页 > 商品目录 > > > > BSC050N03LSGATMA1代替型号比较

BSC050N03LSGATMA1  与  CSD17310Q5A  区别

型号 BSC050N03LSGATMA1 CSD17310Q5A
唯样编号 A-BSC050N03LSGATMA1 A32-CSD17310Q5A
制造商 Infineon Technologies TI
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc) -
功率 - 3.1W(Ta)
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.1 毫欧 @ 20A,8V
漏源极电压Vds - 30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V -
栅极电压Vgs - +10V,-8V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 21A(Ta),100A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 18A(Ta),80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 3V,8V
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.8V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1560pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11.6nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 35
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥2.8788
25+ :  ¥2.4817
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC050N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC050N03LS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
CSD17310Q5A TI  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

¥2.8788 

阶梯数 价格
1: ¥2.8788
25: ¥2.4817
35 对比
AON6516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 对比
AON6516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售